На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

МАГНИТОУПРАВЛЯЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ ЯЧЕЙКА

Номер публикации патента: 2072590

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  94000985		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: микроэлектроника, магнитоуправляемые интегральные схемы, ячейки памяти. Сущность изобретения: магнитоуправляемая логическая ячейка содержит полупроводниковую подложку первого типа проводимости, восемь легированных областей второго типа проводимости, попарно образующих стоковые и истоковые области четырех полевых транзисторов, диэлектрическую пленку на поверхности подложки с отверстиями над каждой стоковой и истоковой областями, восемь проводящих контактных областей, расположенных над стоковыми и истоковыми областями на их поверхности и поверхности диэлектрической пленки, четыре проводящих затворных области, каждая из которых расположена на поверхности диэлектрической пленки между стоковой и истоковой областями каждого транзистора, четыре токопроводящих шины, размещенные на поверхности диэлектрической пленки, первая из которых примыкает к истоковым областям первого и второго транзисторов и является шиной питания, вторая примыкает к истоковым и затворным областям третьего и четвертого транзисторов и является шиной питания, третья примыкает к затворной области первого транзистора и стоковым областям второго и четвертого транзисторов и является шиной выхода, четвертая примыкает к затворной области второго транзистора, истоковым областям первого и третьего транзистора и является шиной выхода, скрытую в подложке диэлектрическую область, изолирующую область, размещенную по периметру скрытой диэлектрической области и примыкающую к ней и к диэлектрической пленке, четыре сильнолегированных области первого типа проводимости, примыкающие к изолирующей области и скрытой диэлектрической области и расположенные попарной симметрично относительно друг друга у противоположных сторон области первого типа проводимости, образованной скрытой диэлектрической областью и изолирующей областью, четыре проводящих контакта к сильнолегированным областям первого типа проводимости, и соединенных токопроводящими дорожками с шинами питания и шинами выхода таким образом, что первая дорожка примыкает к шине питания и контакту к одной из сильнолегированных областей первого типа проводимости, вторая примыкает к другой шине питания и к противолежащему контакту к другой сильнолегированной области первого типа проводимости, третья прилегает к шине выхода и к контакту второй пары сильнолегированных областей первого типа проводимости, четвертая примыкает к противолежащему контакту второй пары сильнолегированных областей и к другой шине выхода. 3 ил.

Вернуться к списку