|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК УПРУГИХ ДЕФОРМАЦИЙ |  |
Номер публикации патента: 2075796 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L027/20 | | Аналоги изобретения: | Патент ЕПВ N 040795, кл. H 01 L 27/20, 1981. Sensors and Actuators, v.7, N 3, 1985, с. 167-176, рис.1 и 2. Там же, с. 175, рис.5. |
| Имя заявителя: | Шлюмберже Эндюстри (FR) | | Изобретатели: | Венсан Моссе[FR]
Ян Сюски[FR] | | Патентообладатели: | Шлюмберже Эндюстри (FR) | | Номер конвенционной заявки: | 89/13383 | | Страна приоритета: | FR |
Реферат | |
Полупроводниковый датчик упругих деформаций. Использование: в датчиках, в состав которых входят полевые транзисторы. Сущность: датчик по данному изобретению содержит кольцевой генератор, составленный из нечетного числа КМОП-инверторов, расположенных в зоне, чувствительной к упругим деформациям. Чтобы повысить чувствительность датчика, канал n-типа МОП-транзистора с каналом n-типа в каждом КМОП-инверторе расположен перпендикулярно каналу p-типа МОП-транзистора с каналом p-типа. 6 з.п. ф-лы. 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента