|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИНТЕГРАЛЬНАЯ СТРУКТУРА ДЛЯ БИС |  |
Номер публикации патента: 2084989 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L027/02 | | Аналоги изобретения: | 1. Файзулаев Б.Н. и др. Быстродействующие матричные БИС и СБИС. Теория и проектирование. - М.: Радио и связь, 1989, с.304. 2. Коул Б. Матричные БИС типа "море вентелей", с коэффициентом использования элементов 75%. Электроника, 1986, N 21, с.12,13. 3. Патент США N 4562453, кл. H 01 L 27/02, 1985. |
| Имя заявителя: | Иванов Юрий Павлович | | Изобретатели: | Иванов Ю.П.
Мухина Н.В.
Ильин С.В.
Зайцев В.В. | | Патентообладатели: | Иванов Юрий Павлович |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, для создания БИС высокоэффективным использованием площади кристалла. Сущность изобретения: интегральная структура для БИС содержит полупроводниковую подложку с областями n- и p-типа проводимости для p- и n-канальных транзисторов, соответственно, выполненные в ней функциональные области с областями истоков-стоков p- и n-канальных транзисторов, затворами p- и n-канальных транзисторов, контактами и к ним для подключения к шинам высокого и низкого потенциалов соответственно, контактными площадками, выполненными в областях коммутации затворов, разделяющих области истоков-стоков p- и n-канальных резисторов, области омических контактов к области n- и p-типа проводимости подложки и шины высокого и низкого потенциалов. Контактные площадки в областях коммутации затворов выполнены общими для четырех ближайших затворов с возможностью подключения к любому из четырех ближайших затворов двух p-канальных транзисторов и двух n-канальных транзисторов. Контакты с к областям истоков-стоков p- и n-канальных транзисторов выполнены в областях расположения шин высокого и низкого потенциалов соответственно, непосредственно под самими шинами. Для обеспечения изоляции структуры контакты к затворам p- и n- канальных транзисторов выполнены в областях расположения шин высокого и низкого потенциалов соответственно, непосредственно под самими шинами. Области омических контактов к области n- и p-типа проводимости подложки выполнены в областях расположения шин высокого и низкого потенциалов соответственно, непосредственно под самими шинами. 3 з.п. ф-лы, 11 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента