|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ЛИНИЯ ПЕРЕДАЧИ |  |
Номер публикации патента: 2108639 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L027/02 | | Аналоги изобретения: | 1. Электроника. Энциклопедический словарь. -М.: Сов.энциклопедия, 1991, с.253, 254 и 491. 2. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. -М.: Мир, 1991, с.405. 3. Гупта К., Гардж Р., Чадха Р. Машинное проектирование СВЧ-устройств. -М.: Радио и связь, с.41 и 42. |
| Имя заявителя: | Иоффе Валерий Моисеевич | | Изобретатели: | Иоффе Валерий Моисеевич
Максутов Асхат Ибрагимович | | Патентообладатели: | Иоффе Валерий Моисеевич
Максутов Асхат Ибрагимови |
Реферат | |
Изобретение относится к области электронной техники и микроэлектроники, а именно к линиям передачи. Изобретение может быть использовано при построении линий передачи с регулируемым волновым сопротивлением и длиной. Двухпроводная линия содержит две проводящие полоски, между которыми сформирован изолирующий либо полуизолирующий слой, причем либо в верхней полоске выполнены отверстия в направлении вдоль длины линии, либо в нижней полоске выполнены отверстия в направлении поперек длины линии, либо в верхней полоске выполнены отверстия в направлении вдоль длины линии, а в нижней полоске выполнены отверстия в направлении поперек длины линии, на поверхности полосок (полоски) с отверстиями сформирован p-n-переход либо барьер Шоттки с неоднородным вдоль ширины верхней полоски либо вдоль длины нижней полоски профилем легирования, при этом параметры линии передачи (волновое сопротивление и длина) определяются величиной управляющего внешнего смещения, поданного на p-n (барьер Шоттки)-переход, либо величинами управляющих внешних смещений, поданных на p-n-переходы (барьеры Шоттки). 8 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента