|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ ДИАПАЗОНА |  |
Номер публикации патента: 2148872 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L027/02 H01L025/16 | | Аналоги изобретения: | Усилитель транзисторный, N М4413, 6Ш2030295 ТУ, Ред. 2-89 КРПГ 434815.005 СБ, 1989. Иовдальский В.А. и др. Улучшение тепловых характеристик ГИС. - Электронная техника. Сер.СВЧ-техника, вып.1(467), 1996, с.34-38. DE 3501310 A1, 24.07.1986. SU 1808148 A3, 07.04.1993. GB 1426539 A, 03.03.1976. US 4975065 A, 04.12.1990. |
| Имя заявителя: | Самсунг Электроникс Ко., Лтд. (KR) | | Изобретатели: | Иовдальский В.А.(RU)
Айзенберг Э.В.(RU)
Бейль В.И.(RU) | | Патентообладатели: | Самсунг Электроникс Ко., Лтд. (KR)
Иовдальский Виктор Анатольевич |
Реферат | |
Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: в мощной гибридной интегральной схеме СВЧ диапазона на обратной стороне платы под выступом основания выполнено углубление с отверстиями в дне определенных размеров, при этом верхняя часть выступа основания, свободная от кристалла, электрически соединена с дном углубления, причем заземление части контактных площадок кристалла выполнено через отверстия в дне углубления, расстояние между кристаллом и стенками отверстия, в котором он установлен, менее 150 мкм, а расстояние между отверстием под кристалл и отверстием для заземления менее 150 мкм. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических и массогабаритных характеристик интегральной схемы, а также повышение ее технологичности. 3 з.п.ф-лы, 6 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента