|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СТРУКТУРА - КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ ДЛЯ СБИС (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2149482 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L027/12 | | Аналоги изобретения: | US 5387555 A, 07.02.1995. US 5569620 A, 29.10.1996. WO 94/23444 A2, 13.10.1994. EP 0238066 A2, 23.09.1987. US 5272104 A, 21.12.1993. WO 93/08596 A1, 29.04.1993. RU 2035805 C1, 20.05.1995. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" | | Изобретатели: | Красников Г.Я.
Лукасевич М.И.
Сулимин А.Д. | | Патентообладатели: | Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, производство СБИС, у которых на одном кристалле формируются как полевые, так и биполярные транзисторы. Сущность изобретения: в структуре - кремний на изоляторе для СБИС, содержащей первый и второй кремниевые слои, диэлектрический слой и слой силицидов металлов между ними, изолированные вторым диэлектрическим слоем области в кремниевом слое, предназначенном для размещения элементов СБИС, полевые транзисторы в изолированных областях кремния, изолированные области кремния содержат слой силицидов металлов, а в изолированных областях кремния над слоем силицидов металлов размещают как полевые транзисторы, так и биполярные транзисторы, причем в качестве скрытого низкоомного слоя, имеющего омический контакт к подложке полевых транзисторов и к области коллектора биполярных транзисторов, используют вышеуказанный слой силицидов металлов. Упомянутые биполярные транзисторы содержат области эмиттера, базы, коллектора и контакты к ним и слой силицидов металлов, используемый в качестве скрытого низкоомного слоя в области коллектора, а также локальные высоколегированные области с типом проводимости коллектора между областью базы и слоем силицидов металлов и между контактом к области коллектора и слоем силицидов металлов, обеспечивающие омический контакт к слою силицидов металлов. Техническим результатом изобретения является создание структуры, включающей как полевые, так и биполярные транзисторы, имеющие скрытый низкоомный слой в области коллектора. 2 с. и 5 з.п.ф-лы, 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента