|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ ОБ АМПЛИТУДЕ И ФАЗЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ |  |
Номер публикации патента: 2182385 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L027/148 | | Аналоги изобретения: | DE 4439298 А, 13.06.1996. RU 2012159 А, 30.04.1994. US 5063581 А, 05.11.1991. US 5449908, 12.09.1995. |
| Имя заявителя: | ШВАРТЕ Рудольф (DE) | | Изобретатели: | ШВАРТЕ Рудольф (DE) | | Патентообладатели: | ШВАРТЕ Рудольф (DE) | | Номер конвенционной заявки: | 19635932.5 | | Страна приоритета: | DE | | Патентный поверенный: | Емельянов Евгений Иванович |
Реферат | |
Изобретение относится к способу и соответствующему устройству для определения информации об амплитуде и/или фазе электромагнитной волны. Для того чтобы достигнуть пространственного разрешения по глубине данных изображения, полученных с помощью такого способа, способ согласно изобретению содержит следующие этапы. Электромагнитную волну направляют на поверхность элемента фотонного смешения, содержащего по меньшей мере один пиксель. Пиксель имеет по меньшей мере два светочувствительных модуляционных световентиля Gam и Gbm и связанные накопительные вентили Ga и Gb. Напряжения Uam(t) и Ubm(t) модуляции световентиля, которые имеют конфигурацию в виде Uam(t)=Uo+Um(t) и Ubm(t)= Uo - Um(t), прикладывают к модуляционным световентилям Gam и Gbm. Прямое напряжение, величина которого является по меньшей мере такой же, как и величина полного напряжения Uo и амплитуда напряжения Um(t) модуляции, прикладывают к накопительным вентилям Ga и Gb. Носители заряда, полученные в области пространственного заряда модуляционных световентилей Gam и Gbm, подвергают с помощью падающей электромагнитной волны в виде функции полярности напряжений Uam(t) и Ubm(t) модуляции световентилей действию градиента потенциалов поля дрейфа и дрейфа в соответствующем накопительном вентиле Ga или Gb. Отводят заряды qa и qb, которые продрейфовали к накопительным вентилям Ga и Gb соответственно. Соответствующий элемент фотонного смешения имеет по меньшей мере один пиксель, содержащий светочувствительные модуляционные световентили (Сam, Gbm) и накопительные вентили (Ga, Gb). Они связаны с модуляционными световентилями и распределяются на части относительно падающей электромагнитной волны. Множество элементов фотонного смешения можно сгруппировать для того, чтобы сформировать массив. Технический результат изобретения - повышение эффективности процесса определения информации о фазе и амплитуде электромагнитной волны. 4 с. и 30 з.п. ф-лы, 14 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента