|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИНТЕГРАЛЬНАЯ ТРАНЗИСТОРНАЯ MOS СТРУКТУРА |  |
Номер публикации патента: 2207662 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L027/04 | | Аналоги изобретения: | Chenming Hu. Silicon nanoelectronics for the 21 |
| Имя заявителя: | АООТ "НИИМЭ и завод "Микрон",Мурашев Виктор Николаевич | | Изобретатели: | Мурашев В.Н.
Ладыгин Е.А.
Мордкович В.Н.
Горнев Е.С.
Сычевский В.А. | | Патентообладатели: | АООТ "НИИМЭ и завод "Микрон"
Мурашев Виктор Николаевич |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: интегральная транзисторная MOS структура содержит на полупроводниковой подложке первого типа проводимости диэлектрический слой, на котором расположены истоковые и стоковые области первого типа проводимости, разделенные подзатворной областью второго типа проводимости, перекрытой областью подзатворного диэлектрика с расположенным на нем затвором, и дополнительно введенную область второго типа проподимости, примыкающую к стоковой области и образ
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента