|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ЯЧЕЙКА МАТРИЦЫ ПАМЯТИ |  |
Номер публикации патента: 2263373 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L027/115 | | Аналоги изобретения: | ВАЛИЕВ К.А. и др. Память на основе нано-МИМ-диода с углеродистой активной средой. Микроэлектроника. 1997, Т.26, №1, стр.3-11. SU 1108915 A1, 27.05.1997. SU 765877 A, 23.09.1980. SU 1378682 A2, 30.12.1994. SU 1617458 A1, 30.12.1990. RU 2072591 C1, 27.01.1997. RU 2108629 C1, 10.04.1998. |
| Имя заявителя: | Институт микроэлектроники и информатики РАН (RU) | | Изобретатели: | Мордвинцев В.М. (RU)
Кудрявцев С.Е. (RU)
Левин В.Л. (RU) | | Патентообладатели: | Институт микроэлектроники и информатики РАН (RU) |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Сущность изобретения: ячейка матрицы памяти включает проводящую шину первого уровня, расположенную на подложке, электрически изолирующей ее от других проводящих шин первого уровня матрицы, перекрещивающуюся с ней проводящую шину второго уровня, разделяющий шины первого и второго уровней слой диэлектрика толщиной от 3 до 100 нм, изолир
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента