|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА |  |
Номер публикации патента: 2302057 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L027/04 | | Аналоги изобретения: | С.Зи. Физика полупроводниковых приборов, т.1. - М.: Мир, 1984, с.310-317, рис.38. RU 1699313 С, 30.03.1994. US 6399413 B1, 04.01.2002. |
| Имя заявителя: | Гальцев Вячеслав Петрович (RU),Глущенко Виктор Николаевич (RU),Петров Владимир Тимофеевич (RU) | | Изобретатели: | Гальцев Вячеслав Петрович (RU)
Глущенко Виктор Николаевич (RU)
Петров Владимир Тимофеевич (RU) | | Патентообладатели: | Гальцев Вячеслав Петрович (RU)
Глущенко Виктор Николаевич (RU)
Петров Владимир Тимофеевич (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой микроэлектроники. Технический результат - улучшение электрических параметров с повышением устойчивости к импульсным перегрузкам по токам. Сущность изобретения: в полупроводниковой структуре, содержащей подложку, полупроводниковый материал с обедненной областью в центральной части структуры, охваченной обедненной областью в периферийной части структуры, и токопроводящие контакты к структуре, в центральную часть введены углубленные элементы
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента