Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ЯЧЕЙКА МАТРИЦЫ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ

Номер публикации патента: 2302058

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2005120094/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L027/115    
Аналоги изобретения: RU 2004100899 A, 20.06.2005. RU 2072591 C1, 27.01.1997. RU 2108629 C1, 10.04.1998. Валиев К.А. и др. Память на основе нано-МИМ-диода с углеродистой активной средой. Микроэлектроника. 1997, т. 26, №1, с.3-11. SU 1108915 A1, 27.05.1997. 

Имя заявителя: Институт микроэлектроники и информатики РАН (RU) 
Изобретатели: Мордвинцев Виктор Матвеевич (RU)
Кудрявцев Сергей Евгеньевич (RU) 
Патентообладатели: Институт микроэлектроники и информатики РАН (RU) 

Реферат


Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Сущность изобретения: ячейка включает полупроводниковую шину первого уровня, расположенную на подложке, электрически изолирующей ее от других шин первого уровня, перекрещивающуюся с ней металлическую шину второго уровня, расположенный под шиной второго уровня слой диэлектрика толщиной от 3 до 100 нм, изолирующую щель в форме открытого торца слоя диэ


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"