Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ФЛЭШ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОГО ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Номер публикации патента: 2368037

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008122658/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L027/115   B82B001/00    
Аналоги изобретения: RU 2310929 C1, 20.11.2007. RU 2003109077 A, 27.09.2004. RU 2003103143 A, 10.11.2004. SU 1135354 A1, 27.05.1997. US 2006/0237771 A1, 26.10.2006. US 6849505 B2, 01.02.2005. US 6627494 B2, 30.09.2003. US 7132328 B2, 07.11.2006. 

Имя заявителя: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук (RU) 
Изобретатели: Новиков Юрий Николаевич (RU) 
Патентообладатели: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук (RU) 

Реферат


Изобретение относится к вычислительной технике. Сущность изобретения: флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства предназначен для хранения информации при отключенном питании. На полупроводниковой подложке между истоком и стоком выполнены туннельный слой, дополнительный туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор. При этом дополнительный туннельный и блокирующий слои выполнены из материала с высоким значением диэлектрической проницаемости, от 5 до 2000, превосходящим диэлектрическую проницаемость материала туннельного слоя (выполненного из SiO2). Запоминающий слой выполнен в виде матрицы проводящих нанокластеров размером от 1,0 до 50 нм. В результате обеспечивается: уменьшение влияния проводящих пор в туннельном оксиде на хранение заряда, увеличение окна памяти (до 7 В), возможность инжекции положительного и отрицательного заряда, снижение времени (до 10-7 с) записи/стирания информации, увеличение времени хранения информации (до 12 лет). 8 з.п. ф-лы, 1 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"