US 5945725 A, 31.08.1999. SU 1414238 A1, 10.06.1997. RU 2173916 C1, 20.09.2001. RU 2173917 C1, 20.09.2001. US 2008111164 A1, 15.05.2008.
Имя заявителя:
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" (RU), ООО "Научно-технический центр "ИНВЕСТПАТЕНТ" (RU)
Изобретатели:
Кондратенко Тимофей Тимофеевич (RU) Кондратенко Тимофей Яковлевич (RU) Кожитов Лев Васильевич (RU) Чарыков Николай Андреевич (RU) Монахов Александр Федорович (RU) Кузнецов Евгений Викторович (RU) Гамкрелидзе Сергей Анатольевич (RU) Абрамов Павел Иванович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" (RU) ООО "Научно-технический центр "ИНВЕСТПАТЕНТ" (RU)
Реферат
Изобретения относятся к области электронной техники, в частности к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых интегральных схем (ИС), и могут быть использованы в цифровых, аналоговых и запоминающих устройствах микроэлектроники. Техническими результатами, которые могут быть получены при осуществлении изобретений, являются увеличение степени интеграции ИС, уменьшение топологического размера элемента, снижение уровня межэлектродных соединений, снижение потребляемой мощности на одно переключение, повышение надежности. Сущность изобретения: в полупроводниковой интегральная схеме, содержащей высокоомный монокристаллический кремниевый слой, выращенный в виде полого цилиндра, в котором сформированы области разного типа проводимости, образующие биполярные транзисторы, резисторы и конденсаторы, на внешней поверхности высокоомного монокристаллического кремниевого слоя сформированы эмиттерные и базовые контакты, прилегающие к соответствующим областям соответствующих транзисторов, соединенные с резисторами и конденсаторами токоведущими дорожками, сформированными на поверхности диэлектрика, размещенного на внешней поверхности высокоомного монокристаллического кремниевого слоя, а на внутренней поверхности высокоомного монокристаллического кремниевого слоя образован коллекторный контакт в виде полого цилиндра, прилегающий к коллекторным областям транзисторов или к примыкающему к ним кремниевому слою. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента