ЛИ Сеонг Сук (KR) Лундин Всеволод Владимирович (RU) Сахаров Алексей Валентинович (RU) Заварин Евгений Евгеньевич (RU) Цацульников Андрей Федорович (RU) Николаев Андрей Евгеньевич (RU) ХАН Джае Воонг (KR) ПАРК Хее Сеок (KR)
Патентообладатели:
САМСУНГ ЛЕД КО., ЛТД. (KR)
Реферат
Изобретение относится к нитридному полупроводниковому светоизлучающему устройству. Сущность изобретения: нитридное полупроводниковое устройство содержит слой нитридного полупроводника n-типа, слой нитридного полупроводника p-типа, активный слой, сформированный между слоями нитридного полупроводника n-типа и p-типа посредством поочередного наложения слоев с квантовыми ямами и квантовых барьерных слоев, электронный запирающий слой, сформированный между активным слоем и слоем нитридного полупроводника p-типа, и слой-коллектор дырок, сформированный между активным слоем и электронным запирающим слоем и включающий область, имеющую более высокий энергетический уровень валентной зоны, чем уровень легирования слоя нитридного полупроводника p-типа. Изобретение позволяет повысить эффективность излучения света благодаря увеличению концентрации дырок, входящих в активный слой, и способно устранять недостаток, заключающийся в уменьшении квантовой эффективности, когда прилагается сильный ток. 9 з.п. ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента