RU 2073935 C1, 20.02.1997. RU 2094910 C1, 27.10.1997. SU 1667574 A1, 27.10.1995. EP 0802567 A2, 22.10.1997.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)" (RU)
Изобретатели:
Белый Алексей Владимирович (RU) Лукьянчиков Николай Игоревич (RU) Трубочкина Надежда Константиновна (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)" (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании логических интегральных схем с элементами нанометровых размеров. Сущность изобретения заключается в том, что полупроводниковая структура логического элемента И-НЕ, содержащая первый и второй логические транзисторы, первый и второй инжектирующие транзисторы и подложку, выполнена наноразмерной со ступенчатым профилем и содержит четыре коллектора, четыре базы и, по меньшей мере, четыре эмиттера на подложке первого типа проводимости. Технический результат - снижение потребляемой мощности и повышение быстродействия. 13 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента