US 7880248 В1, 01.02.2011. US 7489013 B1, 10.02.2009. US 7705439 B2, 27.04.2010. US 2007/0189055 A1, 16.08.2007. US 5233505 A, 03.08.1993. DE 10252329 A1, 27.05.2004. RU 2251153 C2, 27.04.2005.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации (RU)
Изобретатели:
Боярков Вадим Сергеевич (RU) Горбась Андрей Витальевич (RU) Семенов Антон Валерьевич (RU) Федорец Владимир Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации (RU)
Реферат
Настоящее изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к изделиям электронной техники, например микросхемам, содержащим конфиденциальные сведения, которые необходимо защитить от незаконного считывания. Сущность изобретения: в полупроводниковом приборе, включающем корпус с кристаллом интегральной схемы, вставку из материала с эффектом памяти формы, расположенную внутри корпуса прибора таким образом, чтобы при обнаружении изменения температуры вследствие нарушения целостности корпуса полупроводникового прибора происходило разрушение кристалла прибора. Вставка из материала с эффектом памяти формы имеет температуру трансформации выше максимальной рабочей температуры прибора, внутренний объем прибора заполняется полимеризованным наполнителем с температурой размягчения выше температуры трансформации упомянутой вставки с эффектом памяти формы, а трансформированная форма вставки выбирается таким образом, чтобы при трансформации происходило разламывание кристалла по крайней мере по двум непараллельным осям. Техническим результатом изобретения является улучшение качества уничтожения кристалла прибора за счет разламывания кристалла на большое число обломков. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента