US 7880248 B1, 01.02.2011. US 7489013 B1, 10.02.2009. US 7705439 B2, 27.04.2010. US 2007/0189055 A1, 16.08.2007. US 5233505 A, 03.08.1993. DE 10252329 A1, 27.05.2004. RU 2251153 C2, 27.04.2005.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации (RU)
Изобретатели:
Боярков Вадим Сергеевич (RU) Горбась Андрей Витальевич (RU) Семенов Антон Валерьевич (RU) Федорец Владимир Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации (RU)
Реферат
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к изделиям электронной техники, например микросхемам, содержащим конфиденциальные сведения, записанные в области памяти, которые необходимо защитить от незаконного считывания. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор конструктивно состоит из кристалла, содержащего область топологии с конфиденциальными данными, корпуса, вставки из материала с эффектом памяти формы, размещенной под областью топологии в месте механического ослабления, и полимеризованного наполнителя. При воздействии на него специальными методами обратного проектирования будет разрушена именно та область, которая содержит конфиденциальные данные. Техническим результатом изобретения является обеспечение возможности защиты областей топологии кристалла, содержащих конфиденциальные данные от обратного проектирования, путем механического разрушения именно того участка топологии, который содержит конфиденциальную информацию. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента