|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ИЛИ - НЕ И ЕГО ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СХЕМА |  |
Номер публикации патента: 94023881 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 94023881 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Московский государственный институт электроники и математики | | Изобретатели: | Трубочкина Н.К.
Петросянц К.О |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании конструкций логических сверхбольших интегральных схем (СБИС) со сверхмалым потреблением мощности. Комплементарная схема ИЛИ-НЕ - функционально-интегрированная схема содержит подложку первого типа проводимости с концентрацией 1019-1020 см-3, в которой расположена общая коллекторная область второго типа проводимости переключательных n-р-n транзисторов, совмещенная с базой нагрузочного многоколлекторного p-n-p транзистора, в которой расположены базовые области первого типа проводимости переключательных n-p-n транзисторов с концентрацией 1017-1018 см-3, совмещенные с коллекторами нагрузочного многоколлекторного р-n-р транзистора, разделенные глубокой изолирующей областью двуокиси кремния, содержащие высоколегированные эмиттерные области второго типа проводимости переключательных n-p-n транзисторов с концентрацией 2·1020 см-3. Конструкция комплементарной схемы ИЛИ-НЕ окружена высоколегированной областью первого типа проводимости с концентрацией 1020 см-3, к которой подключен электрод питания. Входные электроды подключены соответственно к базовым областям первого типа проводимости переключательных n-р-n транзисторов. Выходной электрод подключен к высоколегированной области второго типа проводимости, служащей для формирования омического контакта к общей коллекторной области второго типа проводимости переключательных n-р-n транзисторов. Электрод нулевого потенциала подключен к высоколегированным эмиттерным областям второго типа проводимости переключательных n-p-n транзисторов. Комплементарные схемы ИЛИ-НЕ - функционально-интегрированные схемы, совместимые с биполярной технологией, обеспечивающие меньшую потребляемую мощность и площадь, занимаемую на кристалле, а также более высокое быстродействие позволят улучшить технические параметры микросхем.
|
Поиск патентов