|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| КОМПЛЕМЕНТАРНАЯ БИПОЛЯРНАЯ СХЕМА И - НЕ |  |
Номер публикации патента: 94030054 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 94030054 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Московский государственный институт электроники и математики | | Изобретатели: | Трубочкина Н.К.
Петросянц К.О | | Номер конвенционной заявки: | 93039928/25 | | Страна приоритета: | RU |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании конструкций логических комбинированных Би-КМОП сверхбольших интегральных схем (СБИС) со сверхмалым потреблением мощности. Поставленная задача решается тем, что в комплементарной биполярной схеме И-НЕ, содержащей многоэмиттерный n-p-n-транзистор, переключательный n-p-п-транзистор, эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллектор является выходом элемента, входами которого являются эмиттеры многоэмиттерного n-p-n-транзистора, а коллектор которого соединен с базой переключательного n-p-n-транзистора, содержащей первый и второй p-n-p-транзисторы, коллектор первого p-n-p-транзистора соединен с базой многоэмиттерного n-р-п-транзистора, коллектор второго p-n-p-транзистора соединен с базой переключательного n-р-п-транзистора, к эмиттерам первого и второго p-n-p-транзисторов подключен электрод питания, базы первого и второго p-n-p-транзисторов совмещены и подключены к коллектору переключательного n-p-n-транзистора. Комплементарные биполярные схемы И-НЕ - функционально-интегрированные схемы, обеспечивающие меньшую потребляемую мощность и изготавливаемые по более простой технологии, позволяют создавать на одном кристалле комбинированные Би-КМОП-схемы, что приводит к улучшению параметров микросхем и снижению стоимости микроэлектронных устройств.
|
Поиск патентов