На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Вернуться к списку

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ

Номер публикации патента: 94031458

Вид документа:  A1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  94031458

Реферат

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при выпрямлении переменного тока. Цель изобретения - создание малогабаритного полупроводникового выпрямительного модуля, пригодного для работы с высокими токами и напряжениями, а также упрощение технологии создания подобных модулей. Изобретение заключается в том, что каждый полупроводниковый выпрямительный элемент по боковой поверхности окружен слоем полупроводникового материала первого типа проводимости (боковой слой), причем от материала второго типа проводимости вышеуказанный слой первого типа проводимости отделен замкнутой разделительной канавкой, пересекающей базовый p-n переход. Канавка выполнена со стороны противолежащей плоскости основания. Изобретение позволяет разместить анодную и катодную группы элементов на общее изолирующее основание, на котором в виде металлических полос выполнены контакты к общим точкам анодной и катодной группы. Верхние контакты объединены попарно от одного катодного и одного анодного элементов. В качестве выпрямительного элемента могут быть использованы диод, тиристор, симистор (триак), оптотиристор и оптосимистор. В случае использования диода наружная поверхность канавки расположена на границе бокового, например дырочного, слоя и исходного материала. Канавка может быть смещена от периферии, но в этом случае уменьшается полезная площадь прибора. Диодные элементы могут монтироваться в виде отдельных (гибридных) элементов, в виде двух монокристаллических блоков для анодной и катодной групп, изолированных воздушным промежутком, или в виде интегральной схемы. В последнем случае анодная и катодная группы выполнены в одном кристалле с общим боковым слоем p-типа, причем кристалл выполнен с двумя продольными разделительными канавками, наружные части которых расположены на границе общего бокового слоя p-типа и исходного материала. В другом варианте боковой слой p-типа выполнен с центральным изолирующим слоем n-типа, причем кристалл выполнен с верхней и нижней продольными разделительными канавками, дно которых расположено в центральном изолирующем слое n-типа. В качестве управляемого полупроводникового выпрямительного элемента может быть использован тиристор, управляемый со стороны анода, или тиристор, управляемый со стороны катода. Причем в качестве тиристора, управляемого со стороны анода, может быть использована многослойная структура с чередующимся типом проводимости. В качестве полупроводникового выпрямительного элемента могут быть также использованы оптотиристор, симистор, оптосимистор. В изобретении указываются размеры обязательного элемента модуля - разделительной канавки, обеспечивающие максимальное напряжение пробоя блокирующих p-n переходов.

Вернуться к списку