На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ВЫСОКОВОЛЬТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА | |
Номер публикации патента: 2006104 | |
Имя заявителя: | Акционерное общество открытого типа "Томилинский завод полупроводниковых приборов" | Изобретатели: | Татьянин В.И. | Патентообладатели: | Акционерное общество открытого типа "Томилинский завод полупроводниковых приборов" |
Реферат | |
Применение: изобретение относится к производству и технологии высоковольтных ИС на КСДИ. Сущность изобретения: концентрация характеризуется тем, что посредством травления в активной области р-типа проводимости устранены цилиндрические и сферические профили диффузии с трех боковых ее сторон таким образом, что с этих боковых сторон область р-типа ограничена меза-канавками, заполненными планаризованным слоем имидизированного полиамида, защищаемого фоторезистором, а с четвертой боковой стороны имеет
|