|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР ШОТТКИ |  |
Номер публикации патента: 2025831 |  |
| Редакция МПК: | 5 | | Основные коды МПК: | H01L029/06 | | Аналоги изобретения: | С.Зи. Физика полупроводниковых приборов. Т.1, гл.6, М.: Мир, 1984. |
| Имя заявителя: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина | | Изобретатели: | Гергель В.А.
Ильичев Э.А.
Онищенко В.А.
Полторацкий Э.А.
Родионов А.В.
Тарнавский С.П.
Федоренко А.В. | | Патентообладатели: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина |
Реферат | |
Применение: относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления полевых транзисторов Шоттки. Сущность: полевой транзистор Шоттки, у которого исток, сток и электрод затвора выполнены на δ-легированной структуре, включающей полуизолированную подложку из арсенида галлия и d-легированный слой n - типа проводимости, отделенный от подложки и свободной поверхности слоями арсенида галлия. Между электродом затвора и d-легированным слоем расположен слой арсенида галлия p - типа проводимости, легированный до вырождения и имеющий общую границу с электродом затвора. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента