|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СВЧ - ДИОД С БАЛОЧНЫМИ ВЫВОДАМИ |  |
Номер публикации патента: 2061980 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/86 | | Аналоги изобретения: | W.L. Bishop, K.Mokinney, R.Z. Mattauch, T.W. Growe, G.Green. A novel whiskerless Shottky diode for millimeters and submillimeter wove application, JEEE MTT-S, 1987, V2, р. 607. Павельев Д.Г. Диоды с расширенными выводами для гибридно- -интегральных схем миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн, Кн. "Тезисы докладов X Всесоюзной научной конференции Электроника СВЧ (20-23 сент. 1993), Минск, 1982, т. 2. с. 90. Отчет по НИР "Ключ", "Разработка лабораторного технологического процесса изготовления планарных арсенидо-галлиевых диодов с предельными частотами более 3000 Ггц для преобразователей и детекторов с рабочим диапазоном длин волн 4-0,5 мм", ИПФ АН СССР, г. Горький, 1988. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов | | Изобретатели: | Божков В.Г.
Геннеберг В.А.
Романовская В.Н. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой электронике, в частности, в приборах с балочными и объемными выводами при создании смесительных, детекторных и других СВЧ-диодов и диодов миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн. Сущность изобретения: в слое эластичного диэлектрика, расположенного под анодными и катодными выводами и являющимся несущей основой диода, убирается его центральная часть, покрывающая анод и прилегающие к нему области анодного и катодного выводов. Слой диэлектрика принимает форму рамки, опирающейся на балочные выводы и скрепленной с ними, за счет чего сохраняется прочность конструкции. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента