|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2065230 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/80 | | Аналоги изобретения: | 1. Hrony J.S., Taylor G.W. Modeliny of on. Jon - Jmplanted JGFET, JEGE Trans. El.Dev. 2. Tatsuhiko F. et all. Meial Insulatorp - Superconductor Field Effect Transistor using SrTiO<SB>3</SB> / JBa<SB>2</SB>Cu<SB>3</SB>O, Heteroehitaxial. Jananese Journ. Appl. phys.-V.31/1992, p. 612 - 615. |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН | | Изобретатели: | Грехов И.В. | | Патентообладатели: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН |
Реферат | |
Использование: в криоэлектронике при создании сверхпроводниковых интегральных схем. Сущность изобретения: полевой транзистор содержит монокристаллическую подложку, канал из сверхпроводящего материала, слой диэлектрического материала, два буферных слоя, дополнительные диэлектрический слой и затвор. Буферные слои выполнены из материала с кристаллической решеткой, одинаковой с решеткой материала канала и нормальным характером проводимости. Буферные слои расположены по обе стороны от канала, каждый слой из диэлектрического материала расположен на буферном слое, дополнительный затвор выполнен из сверхпроводящего материала и расположен между подложкой и дополнительным диэлектрическим слоем. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента