|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СИЛОВОЙ ТИРИСТОР, ПРОВОДЯЩИЙ В ОБРАТНОМ НАПРАВЛЕНИИ |  |
Номер публикации патента: 2082259 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/74 | | Аналоги изобретения: | 1. Заявка Японии N 48-22555, кл. H 01 L 3/00, 1973. 2. Дерменжи П.Г., Томенко А.К. Влияние параметров многослойной структуры симисторов на их стойкость к эффекту du/dt процессе выключения. Радиотехника и электроника. - 1976, N 6, с. 1350 - 1352. 3. Заявка Японии N 55-30310, кл. Н 01 L 29/74, 1980. |
| Имя заявителя: | Всероссийский электротехнический институт им.В.И.Ленина | | Изобретатели: | Дерменжи П.Г.
Думаневич А.Н.
Шмелев В.В. | | Патентообладатели: | Всероссийский электротехнический институт им.В.И.Ленина |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника. Изобретение относится к конструкции интегрального силового полупроводникового прибора - тиристора, проводящего в обратном направлении. В силовом тиристоре, проводящем в обратном направлении и содержащем зоны основного тиристора и диода, которые образуют две смежные области полупроводниковой структуры прибора и разделены между собой по своим смежным границам изолирующей зоной, зону вспомогательного тиристора, которая расположена между зоной основного тиристора и центральным управляющим электродом, и снабженного металлизациями всех зон за исключением поверхности p-слоя изолирующей зоны, изолирующая зона в проекции на плоскость, параллельную плоскостям p-n-переходов, выполнена в виде двух одинаковых радиально направленных участков, а зона вспомогательного тиристора выполнена с зазором, который размещен между участками границ анодной металлизации диодной зоны и центрального управляющего электрода, расположенными друг против друга. 6 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента