|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ВАРАКТОР |  |
Номер публикации патента: 2083029 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/93 | | Аналоги изобретения: | 1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Мир, 1984, т. 1, с. 80 - 91, 260 - 262, 381 - 384. 2. Патент США N 3962713, кл. H 01 L 29/93, 1976. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО РАН | | Изобретатели: | Иоффе В.М.
Чикичев С.И. | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников СО РАН
Иоффе Валерий Моисеевич
Чикичев Сергей Иль |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, реактивностью которых управляют с помощью напряжения. Сущность изобретения: варактор состоит из рабочей области из однородно легированного полупроводника с омическим контактом, на которой сформирован p-n переход с другим контактом. Рабочая область выполнена в форме усеченной треугольной призмы: стороны основания L1, L2 и D. На боковых гранях рабочей области с основаниями L1 и L2 сформированы p-n переходы и/или барьеры Шоттки с общим контактом, а на грани с основанием D изготовлен омический контакт. Емкость варактора C от обратного смещения U в диапазоне обратных смещений Umin≅U≅Umax удовлетворяет условию:
 ,
где S1 и S2 - геометрические площади граней с основаниями L1 и L2 соответственно; R(U) - толщина области пространственного заряда в полупроводнике при обратном смещении U; εo = 8,85·10-12 Ф/м; ε - относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника. Концентрацию примеси в рабочей области и ее геометрические параметры выбирают так, что при увеличении обратного смещения за счет перекрытия ОПЗ от противолежащих граней изменяются действующие площади обкладок S1(U) и S2(U); при этом необходимый закон изменения S(U) обеспечивают либо соответствующим выбором зависимости высоты грани f(H) от расстояния H, измеренного вдоль L1 и L2 от точки пересечения сторон L1 и L2 со стороной D, либо - при заданной f(H) - выбором зависимости расстояния между L1 и L2 от H, причем размер стороны D удовлетворяет условию: 2R(Uпр)≥2R(O), где Uпр - напряжение пробоя. Рабочая область может быть легирована неоднородно. Одна из граней варактора с основанием L1 и L2 представляет собой границу раздела легированный полупроводник - изолирующая подложка. 2 з.п. ф-лы. 9 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента