|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР |  |
Номер публикации патента: 2091908 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/78 | | Аналоги изобретения: | Oкспер Э.С. Мощные полевые транзисторы и их применение. - М.: Радио и связь, 1985, с.64 и 65. |
| Имя заявителя: | Московский государственный университет путей сообщения | | Изобретатели: | Либерман Ф.Я.
Михайлов А.Г.
Добронравов О.Е. | | Патентообладатели: | Московский государственный университет путей сообщения |
Реферат | |
Использование: цифровые и аналоговые устройства, в частности отказоустойчивые. Сущность изобретения: структура полупроводникового прибора состоит из двух слоев одного типа проводимости и расположенного между ними тонкого слоя полупроводника другого типа проводимости. Толщина промежуточного слоя меньше длины диффузионного пробега носителей, слой имеет низкую концентрацию легирующей примеси. Вертикальная канавка, на стенки которой нанесены слои диэлектрика и затвора, разделяет два из трех полупроводниковых слоев на отдельные области. Каждая из полупроводниковых областей прибора и затвор имеют внешние омические контакты. 7 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента