|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2093925 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/812 | | Аналоги изобретения: | Зи С. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Мир, 1984, т. I, с. 330. Там же, с. 348. |
| Имя заявителя: | Государственное научно-производственное предприятие "Исток" | | Изобретатели: | Богданов Ю.М.
Пашковский А.Б.
Тагер А.С.
Яцюк Ю.А.
Петров К.И. | | Патентообладатели: | Государственное научно-производственное предприятие "Исток" |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: в полевом транзисторе с затвором Шотки, выполненном на полуизолирующей подложке с неоднородно легированным активным слоем, часть активного слоя, расположенная на расстоянии от затвора, превышающем 0,08 мкм, выполнена с концентрацией легирующей примеси, большей 2·1017 см-3, и поверхностной плотностью этой примеси /1,3 - 2,5/ · 1012 см-2, а часть активного слоя между упомянутой частью и затвором выполнена со средней концентрацией примеси ≅2·1017 см-3. 6 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента