|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ДВУХСТОКОВЫЙ МОП - МАГНИТОТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2097873 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/82 | | Аналоги изобретения: | 1. A.Yagi and S.Sato. Magnetic and electrical properties of n-channel MOS Holl-effect device. Jpn. J. Appl. Phys. 1976, v. 15, р. 655 - 661. 2. Trujillo H. et al. Influence of topology on the responce of lateral magnetotransistors. Sensors and Actuators. А 45, 1994, р. 179 - 182. 3. Misra D. et al. A novel high gain MOS magnetic field sensor. Sensors and Actuators. 9, 1986, р. 213 - 221. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | | Изобретатели: | Амеличев В.В.
Галушков А.И.
Романов И.М.
Чаплыгин Ю.А. | | Патентообладатели: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) |
Реферат | |
Использование: полупроводниковые магниточувствительные устройства, в частности измерение магнитных полей в виде дискретного датчика или в качестве чувствительного элемента в составе интегральных магнитоуправляемых схем. Сущность изобретения: двухстоковый МОП магнитотранзистор представляет собой структуру, выполненную на полупроводниковой пластине первого типа проводимости, содержащей диффузионную область второго типа проводимости, окруженную диэлектрической изоляцией, внутри которой сформированы три подконтактные области токовых контактов первого типа проводимости, контакты к ним и электрод затвора. Уменьшение величины выходного сигнала при нулевом магнитном поле достигается тем, что в электроде затвора выполнены окна, под которыми сформированы подконтактные области токовых контактов, имеющие размеры не менее размеров окон, по периметру окон в электроде затвора расположена боковая диэлектрическая изоляция, края которой совпадают с краями контактных окон к данным областям, а между внешним краем электрода затвора и близлежащим к нему краем участка диэлектрической изоляции выполнена низкоомная область второго типа проводимости с шириной, не менее расстояния между этими краями. При этом тело двухстокового МОП магнитотранзистора определяется только конфигурацией электрода затвора, независимо от прецизионности технологического оборудования и точности совмещения топологических слоев друг относительно друга. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента