На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С P - N ПЕРЕХОДОМ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | ![](Images/non.gif) |
Номер публикации патента: 2102818 | ![](Images/empty.gif) |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L029/80 | Аналоги изобретения: | 1. Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов. - Л.: Энергоатомиздат, 1986, с.174. 2. Кремлев В.Я. и др. Взаимосвязь конструктивных и технологических параметров нормальнозакрытого полевого транзистора с управляющим р-n переходом. Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника, 1986, вып.2. 3. J.M.Stork at all. Small geometry depleted base bipolar transistor (BSIT) VLSI devices JEEE Transactions on electron devices. ЕД-28, 1981, N 11, p.1354. 4. JP, заявка, 55-10152, кл. H 01 L 29/80, 1980. 5. Безбородков Б.А. и др. Экспериментальное исследование горизонтальных p-n-p транзисторов с самосовмещенным эмиттером. Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника, 1981, вып.2, с.3. |
Имя заявителя: | Эдлин Соломон Давидович | Изобретатели: | Эдлин Соломон Давидович | Патентообладатели: | Эдлин Соломон Давидович |
Реферат | ![](Images/empty.gif) |
Использование: микроэлектроника, вертикальные полевые транзисторы с р-п переходом и технология их изготовления. Сущность изобретения: в полевом транзисторе с р-n переходом эпитаксиальный слой лигирован примесям первого или первого и второго типов проводимости. Электрод истока сформирован анизотропным травлением слоя, расположенного поверх эпитаксиального слоя и выполненного из проводящего материала, содержащего примесь первого типа проводимости. Затвор сформирован имплантацией примеси второго типа проводимости в окно электрода истока, канал сформирован с помощью имплантации примеси первого типа проводимости в то же окно и боковой диффузии. Изоляция сформирована на боковых поверхностях электрода истока. 2 с. и 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
|