Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С P - N ПЕРЕХОДОМ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2102818

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 5037580 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L029/80    
Аналоги изобретения: 1. Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов. - Л.: Энергоатомиздат, 1986, с.174. 2. Кремлев В.Я. и др. Взаимосвязь конструктивных и технологических параметров нормальнозакрытого полевого транзистора с управляющим р-n переходом. Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника, 1986, вып.2. 3. J.M.Stork at all. Small geometry depleted base bipolar transistor (BSIT) VLSI devices JEEE Transactions on electron devices. ЕД-28, 1981, N 11, p.1354. 4. JP, заявка, 55-10152, кл. H 01 L 29/80, 1980. 5. Безбородков Б.А. и др. Экспериментальное исследование горизонтальных p-n-p транзисторов с самосовмещенным эмиттером. Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника, 1981, вып.2, с.3. 

Имя заявителя: Эдлин Соломон Давидович 
Изобретатели: Эдлин Соломон Давидович 
Патентообладатели: Эдлин Соломон Давидович 

Реферат


Использование: микроэлектроника, вертикальные полевые транзисторы с р-п переходом и технология их изготовления. Сущность изобретения: в полевом транзисторе с р-n переходом эпитаксиальный слой лигирован примесям первого или первого и второго типов проводимости. Электрод истока сформирован анизотропным травлением слоя, расположенного поверх эпитаксиального слоя и выполненного из проводящего материала, содержащего примесь первого типа проводимости. Затвор сформирован имплантацией примеси второго типа проводимости в окно электрода истока, канал сформирован с помощью имплантации примеси первого типа проводимости в то же окно и боковой диффузии. Изоляция сформирована на боковых поверхностях электрода истока. 2 с. и 2 з.п. ф-лы, 3 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"