Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ

Номер публикации патента: 2105385

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 94039260 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L029/872    
Аналоги изобретения: 1. T.Iakada, T.Makimura, T.Ishibashi, Unbiasol I n P detectors in the submillimeter wave region, Electronics letters, 1980, v. 16, N 20, p. 765 - 766. 2. A.Cristou, I.E.Davey, W.F.Tzeng, M.L.Bark, I n P mixer diodes with etched via oh.mic contacts, Electronics letters, 1984, v. 20, N 9, p. 378 - 379. 3. R.E.Neiclert, S.C.Binari. Millimeter - Wave Planar Schottky Diodes and Their Small - Signal Equivalent Circuit, IEEE Trans. on MTT, v. 37, N 11, p. 1694 - 1698. 4. JP, заявка, 54-20319, кл.H 01 L 29/91, 1979. 

Имя заявителя: Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов 
Изобретатели: Малаховский О.Ю.
Божков В.Г.
Мисевичус Г.Н.
Кораблева Т.В. 
Патентообладатели: Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов 

Реферат


Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор с барьером Шоттки на фосфиде индия, содержит контакт металл-фосфид индия, сформированный в окне диэлектрика и защитного эпитаксиального слоя твердого раствора InxGa1-x As (0≅x≅0,53), нанесенного в процессе эпитаксиального роста на рабочий слой InP. 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"