На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ВЕРТИКАЛЬНЫЙ МДП - ТРАНЗИСТОР ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ

Номер публикации патента: 2108641

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  97102282		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: микроэлектроника, интегральные схемы большой степени интеграции. Сущность изобретения: вертикальный МДП транзистор интегральной схемы содержит полупроводниковую подложку первого типа проводимости со сформированной на ней полупроводниковой структурой, окруженной изолирующей областью и состоящей из верхней и нижней областей второго типа проводимости, являющимися соответственно областями истока и стока, и расположенной между ними подзатворной области первого типа проводимости. В структуре выполнена канавка, дно которой расположено в нижней области второго типа проводимости, на боковой поверхности канавки расположен изолированный затвор, а размеры канавки в плане меньше размеров структуры на удвоенную толщину проводника к области истока. Верхняя поверхность структуры углублена относительно изолирующей области на ведичину, не менее чем в 1,5 превышающую толщину проводника к области истока, проводник к области истока расположен на поверхности изолирующей области и совмещен с областью истока торцевой поверхностью, а проводник к области стока размещен на изолированной диэлектриком поверхности затвора и совмещен с областью стока на дне канавки. Стенки выполнены вертикальными. 2 ил.

Вернуться к списку