Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


УСТРОЙСТВО СЧИТЫВАНИЯ ДЛЯ ДВУМЕРНЫХ ПРИЕМНИКОВ ИЗОБРАЖЕНИЯ

Номер публикации патента: 2111580

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 96124551 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L029/768    
Аналоги изобретения: 1. A.Ballingal et al. Two dimensional infrared focal peane arrays utilisity a direct injection input scheme. SPIE vol.685, Infrared Technology XII, p.115-122, 1986. 2. G.L.Kurishev et al. Fabrication and properties of two - dimensional hybrid array sensor on epitaxial n-In As films. SPIE vol.2746, Infrared Detectors and Focal Plane Arrays iv, p.268-276, 1996. 

Имя заявителя: Институт физики полупроводников СО РАН 
Изобретатели: Ли И.И.
Половинкин В.Г. 
Патентообладатели: Институт физики полупроводников СО РАН 

Реферат


Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может быть использовано в системах обработки оптической информации. Сущность изобретения: устройство считывания выполнено на полупроводниковой подложке и содержит матрицу входных устройств, многовыходной сдвиговый регистр с последовательным входом, первую, вторую и дополнительную шины управления, мультиплексор, каждая строка матрицы входных устройств содержит первый и второй МДП-транзисторы, первую и вторую строчные шины управления, каждый столбец матрицы входных устройств - столбцовую шину считывания, а каждое входное устройство содержит конденсатор, МДП-транзистор, при этом соединение истоков второго МДП-транзистора с периодом в четыре ячейки многовыходного сдвигового регистра с последовательным входом меняется: для первых двух выходов многовыходного сдвигового регистра с последовательным входом истоки второго МДП- транзистора соединены с второй шиной управления, для третьих и четвертых выходов многовыходного сдвигового регистра с последовательным входом истоки второго МДП-транзистора соединены с дополнительной шиной управления. 2 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"