|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР КЛЮЧЕВОГО ТИПА (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2113744 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/86 | | Аналоги изобретения: | 1.SU, авторское свидетельство 1003699 A, кл. H 01 L 29/74, 1983. 2. Тучке вич В.М., Грехов И.В. Новые принципы коммутаций больших мощностей полупров одниковыми приборами.-Л.: Наука, 1988, с.87-91. 3. Там же, с.86 - 87. |
| Имя заявителя: | Ефанов Владимир Михайлович | | Изобретатели: | Ефанов Владимир Михайлович
Кардо-Сысоев Алексей Федорович | | Патентообладатели: | Ефанов Владимир Михайлович
Кардо-Сысоев Алексей Федорови |
Реферат | |
Использование: полупроводниковая техника, способы переключения высоковольтных полупроводниковых структур ключевого типа. Сущность изобретения: в способе переключения высоковольтных полупроводниковых структур ключевого типа импульс управления, совпадающий с полярностью рабочего напряжения, подают на полупроводниковую структуру до момента ее переключения, причем скорость нарастания импульса управления удовлетворяет соотношению dU/dt > 2E0W/τs, где Eo - характеристическое поле полупроводниковой кремниевой структуры, равное 105 В/см; W - толщина высокоомного слоя полупроводниковой структуры, характеризующаяся уровнем легирования акцепторной Na или донорной Nd примесями, не более 1015 см-3 каждая. Толщина слоя W не превышает 0,2 см; τs - пролетное время подвижных носителей заряда через высокоомный слой толщиной W, равное τs = W/Vs, где Vs - насыщенная скорость дрейфа носителей в полупроводниковой структуре. Во втором варианте способа импульс управления с полярностью, противоположной полярности рабочего напряжения, подают на полупроводниковую структуру до момента ее переключения, причем скорость нарастания импульса управления удовлетворяет соотношению dU/dt > 4E0W/τs, где Eo - характеристическое поле полупроводниковой кремниевой структуры, равное 105 В/см; W - толщина высокоомного слоя полупроводниковой структуры, характеризующаяся уровнем легирования акцепторной Na или донорной Nd примесями, не более 1015 см-3 каждая. Толщина слоя W не превышает 0,2 см; τs - пролетное время подвижных носителей заряда через высокоомный слой толщиной W, равное τs = W/Vs, где Vs - насыщенная скорость дрейфа носителей в полупроводниковой структуре. Техническим результатом изобретения является повышение быстродействия и эффективности способа переключения высоковольтных полупроводниковых структур ключевого типа за счет уменьшения коммутационных и остаточных потерь в структуре и увеличения коммутируемых напряжения и тока. 2 с.п.ф-лы, 7 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента