Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР

Номер публикации патента: 2117360

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 95121291 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L029/93    
Аналоги изобретения: RU, 94008630 А1, 10.11.95. Ред.ЖЭ. Справочное пособие по высокочастотной схемотехнике. - М.: Мир, 1989, с.219 - 220. 

Имя заявителя: Иоффе Валерий Моисеевич 
Изобретатели: Иоффе Валерий Моисеевич
Максутов Асхат Ибрагимович 
Патентообладатели: Иоффе Валерий Моисеевич
Максутов Асхат Ибрагимови 

Реферат


Использование: микроэлектроника, при создании параметрических усилителей и генераторов и безинерционных конденсаторов переменной емкости. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор содержит полупроводник в виде пленки с полупроводниковым переходом, сформированным с неоднородным вдоль поверхностной координаты x примесным профилем. На поверхности полупроводника сформированы вдоль поверхностной координаты y проводящие полоски, выполненные с зазором относительно друг друга и омического контакта, причем проводящие полоски соединены с проводящими участками, сформированными на слое диэлектрика или высокоомного полупроводника, на другой поверхности диэлектрика или высокоомного полупроводника сформирована проводящая площадка. Поверх свободной поверхности прибора сформирован диэлектрический или высокоомный слой. Техническим результатом изобретения является создание полупроводникового прибора, позволяющего при измерении величины управляющего напряжения регулировать величину емкости конденсатора, образованного между проводящими пластинами. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"