|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СЕНСОР ВЕКТОРА МАГНИТНОГО ПОЛЯ |  |
Номер публикации патента: 2122258 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/82 | | Аналоги изобретения: | Durgamadnad Misra and Bingda Wang, Elimination of cross sensitivity in a three-dimensional magnetic sensors. IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 41, N 4, April 1994, p.p.622-624. RU 2055419 C1, 1996. GB 2126009 A, 1983. US 4999632 A, 1991. EP 0563630 A1, 1993. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | | Изобретатели: | Галушков А.И.
Романов И.М.
Чаплыгин Ю.А. | | Патентообладатели: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) |
Реферат | |
Использование: полупроводниковые магниточувствительные устройства, может быть применено для измерения магнитных полей в виде дискретного датчика или в качестве чувствительного элемента в составе интегральных магнитоуправляемых схем. Техническим результатом изобретения является уменьшение величины выходного сигнала при нулевом магнитном поле. Сущность изобретения: сенсор вектора магнитного поля представляет собой структуру, состоящую из двух биполярных n-p-n магнитотранзисторов, интегрированных в четырехколлекторный биполярный магнитотранзистор, и двухстокового МОП магнитотранзистора. В электроде затвора МОП магнитотранзистора выполнены окна, под которыми сформированы подконтактные области токовых контактов МОП магнитотранзистора, области коллекторов, эмиттера и контакта к базе четырехколлекторного биполярного магнитотранзистора, имеющие размеры не менее размеров окон, по периметру окон в электроде затвора расположена боковая диэлектрическая изоляция, края которой совпадают с краями контактных окон к данным областям, а между внешним краем электрода затвора МОП магнитотранзистора и близлежащим к нему краем участка диэлектрической изоляции выполнена низкоомная область второго типа проводимости шириной, не менее расстояния между этими краями. При этом тело сенсора вектора магнитного поля определяется только конфигурацией электрода затвора, независимо от прецизионности технологического оборудования и точности совмещения топологических слоев друг относительно друга. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента