На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР

Номер публикации патента: 2127007

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  98102827		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: для измерения магнитных полей в виде датчика в магнитоуправляемых схемах электронной автоматики или в качестве чувствительного элемента в интегральных магнитоуправляемых схемах. Сущность изобретения: магниточувствительный биполярный транзистор содержит сформированный на полупроводниковой пластине первого типа проводимости эпитаксиальный слой второго типа проводимости с двумя областями коллекторов второго типа проводимости, между которыми расположены область базы первого типа проводимости и область эмиттера второго типа проводимости, и контакты к упомянутым областям. Области коллекторов расположены в эпитаксиальном слое на глубине, превышающей глубину расположения области базы, контакты к областям коллекторов расположены в сформированных в эпитаксиальном слое окнах и изолированы по бокам пристеночным диэлектриком, а области эмиттера и базы имеют в вертикальной плоскости общую границу со стороны контактов к коллекторам. Дно областей коллекторов может быть расположено в полупроводниковой пластине, размер каждой области коллектора в плане может быть определен внешним размером пристеночного диэлектрика соответствующего контакта. Техническим результатом изобретения является повышение магниточувствительности и избирательности магнитотранзистора при одновременном уменьшении начального смещения нуля и, как следствие, повышение прецизионности преобразования сигнала. 2 з. п. ф-лы, 2 ил.

Вернуться к списку