На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР

Номер публикации патента: 2139599

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  96124161		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: микроэлектроника. Прибор может быть выполнен в виде управляемого напряжением конденсатора переменной емкости, варикапа, транзистора. На приборе могут быть выполнены управляемые напряжением линии передачи. Полупроводниковый прибор содержит низкопроводящий или изолирующий слой (5), на одной поверхности которого сформирован проводящий участок (6), на другой поверхности которого сформирован полупроводниковый слой электронного либо дырочного типа проводимости (1) с омическим контактом, на поверхности которого выполнен слой (2) из полупроводника или (и) металла, образующий с (1) p - n-переход либо (и) барьер Шоттки с другим омическим контактом, выбор профиля легирования и толщины слоя (1) ограничен условием полного обеднения слоя (1) либо его части основными носителями заряда до пробоя р - n-перехода либо (и) барьера Шоттки при подаче на него внешнего смещения

где U_i - напряжение пробоя полупроводникового слоя (1); y - координата, отсчитываемая от металлургической границы р - n-перехода или барьера Шоттки вдоль толщины слоя (1); q - элементарный заряд; N_i(x,y,z)-профиль распределения примеси в слое (1); d(x, z) - толщина слоя (1); z, х - координаты на поверхности пленки; ε_s - диэлектрическая проницаемость слоя (1); U_k - встроенный потенциал. Р - n-переход или (и) барьер Шоттки может быть сформирован с неоднородным примесным профилем вдоль направления X, выбранного на поверхности слоя (1). На поверхности полупроводникового слоя (1) сформированы вдоль другого поверхностного направления Z проводящие полоски (3), образующие с (1) невыпрямляющий контакт, которые либо соединены с омическим контактом к (1), либо выполнены с зазором относительно омического контакта, полоски (3) либо соединены с проводящими участками (4), выполненными на свободной поверхности слоя (5), либо слой (5) сформирован поверх полосок (3). Техническим результатом изобретения является создание полупроводникового прибора, позволяющего при изменении величины управляющего напряжения регулировать величину емкости конденсатора, образованного между проводящими пластинами, а также регулировать величину сопротивления низкопроводящего полупроводникового слоя. 2 з.п. ф-лы, 21 ил.

Вернуться к списку