|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР |  |
Номер публикации патента: 2163045 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/93 | | Аналоги изобретения: | Зи. С. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Мир, 1984, т.1, с.84-91, 260-262, 381, 384. RU 94008630 A1, 10.11.1995. US 3962713 A, 08.06.1976. FR 2592527 A1, 09.07.1987. EP 0452035 A1, 16.10.1991. |
| Имя заявителя: | Иоффе Валерий Моисеевич | | Изобретатели: | Иоффе В.М. | | Патентообладатели: | Иоффе Валерий Моисеевич
Виноградов Евгений Леонидович |
Реферат | |
Использование: при создании параметрических усилителей и генераторов и перестраиваемых в широких пределах резонансных контуров. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор содержит диэлектрический или полупроводниковый слой, на поверхности которого сформирован проводящий участок, выполненный в виде спирали, на поверхности спирали сформирована полупроводниковая пленка электронного либо дырочного типа проводимости с омическим контактом, на поверхности которой выполнен p-n переход либо барьер Шоттки с другим омическим контактом с неоднородным вдоль направления пересекающего витки спирали профилем легирования. Выбор профиля легирования пленки и толщины пленки ограничен условием полного обеднения пленки либо ее части основными носителями заряда до пробоя p-n перехода либо барьера Шоттки при подаче на него внешнего смещения, удовлетворяющего заявленному соотношению. Техническим результатом изобретения является создание полупроводникового прибора, позволяющего при изменении величины управляющего напряжения, подаваемого на p-n переход либо барьер Шоттки, регулировать величину индуктивности. 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента