|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД ШОТТКИ (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2165661 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/872 | | Аналоги изобретения: | Справочник Полупроводниковые приборы: диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры под ред. А.В.Голомедова. - М.: Сов. радио и связь, 1989, с.147. ЕР 0111364 A2, 20.06.1984. GB 2254732 A, 14.10.1992. ЕР 0043654 A2, 13.01.1982. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) | | Изобретатели: | Кожитов Л.В.
Крапухин В.В.
Кондратенко Т.Я.
Тимошина Г.Г.
Косарев А.М.
Кондратенко Т.Т. | | Патентообладатели: | Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) |
Реферат | |
Использование: в электронной промышленности. Сущность изобретения: первый вариант изобретения характеризуется тем, что в выпрямительном диоде Шоттки омический контакт выполнен в виде монокристаллического цилиндра из металла с объемно-центрированной или гранецентрированной решеткой с гранями (111) или (100) и температурой плавления выше температуры плавления кремния, на внешней поверхности которого выращена кремниевая подложка n+ типа цилиндрической формы, на внешней поверхности которой сформирован активный кремниевый слой n типа цилиндрической формы, поверх которого нанесен многослойный металлический контакт в виде двух цилиндрических слоев заданной длины, выполненных из разных металлов, формирующий непланарный электрический барьер Шоттки цилиндрической формы, при этом удельная электропроводность верхнего цилиндрического слоя металла в паре больше удельной электропроводности нижнего цилиндрического слоя металла по направлению протекания электрического тока через барьер Шоттки. Второй вариант изобретения характеризуется тем, что в выпрямительном диоде Шоттки кремниевая n+ типа подложка выращена в виде полого цилиндра. Третий вариант изобретения характеризуется тем, что в выпрямительном диоде Шоттки кремниевая подложка n+ типа выращена в виде сплошного цилиндра заданной длины. Технический результат: исключение краевого эффекта, увеличение напряжения пробоя, снижение уровня электротепловой деградации и повышение уровня стабильности электрических параметров выпрямительных диодов с барьером Шоттки. 3 с. и 6 з.п.ф-лы, 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента