|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2166221 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/872 H01L021/329 | | Аналоги изобретения: | WO 98/32178 A1, 23.07.1998 . US 5789311 A, 04.08.1998. US 6027954 A, 22.02.2000 . US 5212401 A, 18.05.1993. US 5389799 A, 14.02.1995. JP 9246573, 19.09.1997. RU 2031478 C1, 20.03.1995. |
| Имя заявителя: | ЦЕНТР ТЕХНОЛОГИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ (ЦТМ) | | Изобретатели: | Афанасьев А.В.
Ильин В.А.
Петров А.А. | | Патентообладатели: | САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ (СПб ГЭТУ)
ЦЕНТР ТЕХНОЛОГИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ (ЦТМ) |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, конструкции и технология диодов Шотки. Сущность изобретения: высокотемпературный полупроводниковый прибор (ВПП) содержит полупроводниковую подложку 1, омический электрод 2 и многослойный выпрямляющий электрод 3, расположенный на подложке 1 и включающий барьерообразующий слой 4, связанный с подложкой 1 с образованием барьера Шотки, промежуточный слой 5 из материала на основе тугоплавкого металла и внешний слой 6 из благородного металла. Для повышения температурной и радиационной стойкости слой 4 изготовлен из хрома и связан с подложкой 1 с образованием переходной зоны 8 из карбида хрома, на внешнем слое 6 сформирован выходной контакт 7, при этом подложка 1 выполнена из SiC n+-типа с гомоэпитаксиальным n-слоем 10, легированным азотом до уровня от 7 · 1015 до 1 · 1018см-3, расположенным по месту формирования барьера Шотки, а на подложку 3 нанесен защитный герметизирующий слой 11. В способе изготовления ВПП используют в качестве подложки структуру n-n+ SiC с эпитаксиальным n-слоем, легированным азотом до уровня от 7 · 1015 до 1018см-3, а в качестве барьерообразующего металла используют Сr, многослойный выпрямляющий электрод формируют в едином технологическом цикле магнетронным распылением, после микропрофилирования на поверхности многослойного выпрямляющего электрода и n-слоя подложки наносят защитный диэлектрический слой, в окне которого формируют выходной контакт из благородного металла, а высокотемпературный отжиг производят после нанесения металла омического электрода и по окончании формирования выходного контакта. Техническим результатом изобретения является повышение надежности работы прибора в экспериментальных условиях температуры и радиации. 2 c. и 2 з.п. ф-лы, 2 табл., 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента