|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ТРЕХМЕРНАЯ НЕЙРОСТРУКТУРА |  |
Номер публикации патента: 2173006 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/788 | | Аналоги изобретения: | RU 2106721 C1, 10.03.1998. РАКИТИН В.В., ФИЛИППОВ Е.И. Моделирование элементов СБИС на совмещенных вертикальных МОП-транзисторах// Микроэлектроника, т.25, № 2, 1996, с.112-115. ЕР 0149390 А2, 24.07.1985. US 5874760 А, 23.02.1999. WO 95/15580 Al, 08.06.1995. |
| Имя заявителя: | Бубенников Александр Николаевич | | Изобретатели: | Бубенников А.Н. | | Патентообладатели: | Бубенников Александр Николаевич |
Реферат | |
Использование: в устройствах и структурах интегральной полупроводниковой микроэлектроники и кремниевой наноэлектронике, в частности в интегральных нейроподобных структурах нейро-БИС и нейро-ЭВМ. Техническим результатом изобретения является расширение функциональных возможностей структуры, уменьшение межэлементных линий связи при высокой плотности трехмерной упаковки, малых мощностях потребления. Сущность изобретения: трехмерная нейроструктура содержит полупроводниковую подложку определенного типа проводимости с истоком, стоком и столбиком, боковая поверхность которого покрыта первым слоем - слоем диэлектрика, на противоположных сторонах которого размещены затворы, тип проводимости верхнего слоя подложки и столбика противоположен основанию подложки, а проводимость столбика близка к собственной проводимости полупроводника. Предлагается в трехмерной нейроструктуре затворы на боковых поверхностях столбика выполнять в виде плавающих затворов, на каждый из которых нанесен второй слой диэлектрика, на котором изготовлены изолированные друг от друга n входных контактов с соответствующими площадями и емкостями входных контактов относительно плавающего затвора, определяющими весовые значения и формирующими функцию взвешенного суммирования путем сложения зарядов на плавающем затворе нейроструктуры и соответствующую пороговую функцию. В зависимости от условий функционирования структуры соответствующие входные контакты на правой и левой боковых поверхностях столбика могут быть соединены или разомкнуты, а сток структуры изготовлен как поглощающий контакт, выполненный в виде двух смежных разнородных контактов Шоттки n- и р-типа. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента