|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ К МАГНИТНОМУ ПОЛЮ |  |
Номер публикации патента: 2239916 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/82 | | Аналоги изобретения: | US 4700211 А, 13.10.1987. RU 2127007 C1, 27.02.1999. RU 2055419 C1, 27.02.1996. RU 2008748 C1, 28.02.1994. US 3883858 А, 13.03.1975. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU),Государственное учреждение научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ (RU) | | Изобретатели: | Козлов А.В. (RU)
Ревелева М.А. (RU)
Тихонов Р.Д. (RU) | | Патентообладатели: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU)
Государственное учреждение научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ (RU) |
Реферат | |
Предлагаемое изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Технический результат: уменьшение зависимости чувствительности биполярного магниточувствительного транзистора, сформированного в кармане, от состояния поверхности прибора.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента