|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛЕВОЙ НАНОТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2250535 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/786 | | Аналоги изобретения: | B.Doyle et all. Transistor element for 30 nm physical gate lengths and beyond. Intel Technical Journal, Vol.6, №2, 2002, pp.42-61. RU 2106721 C1, 10.03.1998. US 6274007 B1, 14.08.2001. US 5612255 А, 18.03.1997. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников Объединенного Института физики полупроводников СО РАН (RU) | | Изобретатели: | Настаушев Ю.В. (RU)
Наумова О.В. (RU)
Попов В.П. (RU) | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников Объединенного Института физики полупроводников СО РАН (RU) |
Реферат | |
Использование: наноэлектроника и микроэлектроника, в микроэлектронных и микроэлектромеханических системах в качестве быстродействующих усилителей для средств широкополосной цифровой мобильной связи, а также для построения микро-, нанопроцессоров и нанокомпьютеров. Сущность изобретения: в полевом нанотранзисторе, содержащем слой полупроводникового материала, в котором выполнен проводящий канал, слой тонкого диэлектрика, расположенный на поверхности полупроводникового материала, затвор, выполненный
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента