|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР |  |
Номер публикации патента: 2278449 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/93 | | Аналоги изобретения: | RU 2139599 С1, 10.10.1999. RU 2102819 C1, 20.01.1998. US 4903086 А, 20.02.1990. |
| Имя заявителя: | Иоффе Валерий Моисеевич (RU),Максутов Асхат Ибрагимович (RU) | | Изобретатели: | Иоффе Валерий Моисеевич (RU)
Максутов Асхат Ибрагимович (RU) | | Патентообладатели: | Иоффе Валерий Моисеевич (RU)
Максутов Асхат Ибрагимович (RU) |
Реферат | |
Использование в микроэлектронике. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор содержит первый полупроводниковый слой электронного либо дырочного типа проводимости с омическим контактом к нему, на части поверхности которого сформирован второй полупроводниковый или металлический слой, образующий с первым полупроводниковым слоем полупроводниковый переход, с другим омическим контактом, на части внешней поверхности прибора сформирован изолирующий слой, на части внешней поверхности которого выполнен
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента