|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР |  |
Номер публикации патента: 2279736 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/93 | | Аналоги изобретения: | RU 2139599 C1, 10.10.1999. RU 2163045 C1, 20.11.1998. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. T.1, М., Мир, 1984, с.80-91, 260-262, 381, 384. US 3962713 А, 08.06.1976. |
| Имя заявителя: | Иоффе Валерий Моисеевич (RU),Максутов Асхат Ибрагимович (RU) | | Изобретатели: | Иоффе Валерий Моисеевич (RU)
Максутов Асхат Ибрагимович (RU) | | Патентообладатели: | Иоффе Валерий Моисеевич (RU)
Максутов Асхат Ибрагимович (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов и может быть использовано в микроэлектронике. Прибор может быть выполнен в виде управляемых напряжением конденсатора переменной емкости, варикапа, транзистора, линии передачи. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор содержит изолирующий слой, на одной части поверхности которого сформирован проводящий участок, а на другой части поверхности - первый слой, выполненный из полупроводника электронного либо дырочного типа проводимости с о
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента