|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА |  |
Номер публикации патента: 2316076 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/772 | | Аналоги изобретения: | Hu Х at al. AlGaN/GaN heterostructure fild-effect transistors on single-crystal bulk AlN. vol.82, №8, 2003, p.p.1299-1301. RU 2222845 C1, 27.01.2004. WO 03/050849 A2, 19.06.2003. WO 2006/022453 A1, 02.03.2006. WO 2006/098167 A1, 21.09.2006. EP 1612866 A2, 04.01.2006. US 7030428 B2, 18.04.2006. US 2006/0049426 A1, 09.03.2006. |
| Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество "Светлана-Рост" (RU) | | Изобретатели: | Алексеев Алексей Николаевич (RU)
Погорельский Юрий Васильевич (RU)
Соколов Игорь Альбертович (RU)
Красовицкий Дмитрий Михайлович (RU)
Чалый Виктор Петрович (RU)
Шкурко Алексей Петрович (RU) | | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество "Светлана-Рост" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к гетероструктурам полупроводниковых приборов, главным образом полевых транзисторов. Полупроводниковая гетероструктура полевого транзистора, включающая монокристаллическую подложку из AlN, темплетный слой AlN, канальный слой GaN и барьерный слой AlxGa1-xN, между темплетным и канальным слоями расположены один над другим, соответственно, переходный слой AlyGa1-yN, буферный слой AlzGa1-zN, значение у на границе с темплетным слоем составляет 1, а на границе с буферным слоем равн
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента