|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СВЧ LDMOS - ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2338297 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/78 | | Аналоги изобретения: | Richmond Road «Philips BLF 2022-90 Power MOSFET Structural Analysis» - Suite 500, Ottawa, ONK2H5B7, Canada, June 17, 2004. US 7095080 B2, 22.08.2006. US 6744117 B2, 01.06.2004. US 5369045 A, 29.11.1994. US 7033891 B2, 25.04.2006. US 6870222 B2, 22.03.2005. WO 00/14791 A1, 16.03.2000. RU 2239912 C2, 10.11.2004. RU 2229758 C1, 27.05.2004. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (RU) | | Изобретатели: | Бачурин Виктор Васильевич (RU)
Бельков Александр Константинович (RU)
Бычков Сергей Сергеевич (RU)
Пекарчук Татьяна Николаевна (RU) | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. Техническим результатом изобретения является повышение предельно-допустимых значений электрических параметров и режимов эксплуатации СВЧ LDMOS - транзисторов и обеспечение условий для организации рентабельного промышленного выпуска данных изделий.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента