Изобретение относится к тонкопленочным транзисторам, использующим оксидный полупроводник. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем канал, выполненный из оксидного полупроводникового материала, включающего в себя In и Zn, атомное композиционное отношение, выражаемое в виде In/(In+Zn), составляет не меньше, чем 35 атомных %, и не больше, чем 55 атомных %. Когда в материал введен Ga, атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Ga/(In+Zn+Ga), составляет 30 атомных % или меньше. Данный транзистор имеет улучшенную S-величину и дрейфовую подвижность. 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 25 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента