US 7244997 В2, 17.07.2007. RU 2294026 С1, 20.02.2007. US 6753562 В1, 22.06.2004. US 7196367 В2, 27.03.2007. US 7423327 В2, 09.09.2008. JP 2004297072 А, 21.10.2004.
Имя заявителя:
Институт химии твердого тела Уральского Отделения Российской Академии наук (RU)
Изобретатели:
Борухович Арнольд Самуилович (RU) Игнатьева Нэлли Ивановна (RU) Галяс Анатолий Иванович (BY) Янушкевич Казимир Иосифович (BY) Стогний Александр Иванович (BY)
Патентообладатели:
Институт химии твердого тела Уральского Отделения Российской Академии наук (RU)
Реферат
Изобретение относится к области спиновой электроники (спинтронике), более конкретно к устройствам, которые могут быть использованы в качестве элемента ячеек спиновой (квантовой) памяти и логических информационных систем, а также источника спин-поляризованного излучения (лазером) в миллиметровом и субмиллиметровом диапазоне. Сущность изобретения: в спиновом транзисторе, содержащем эмиттер, выполненный из ферромагнетика, базу, выполненную из оксидного соединения, и детектор, выполненный из монокристаллического широкозонного полупроводника, эмиттер выполнен из тонкопленочного композита состава (EuO)Fe при соотношении EuO:Fe=(4÷6):1. Использование в качестве эмиттера полевого транзистора ферромагнитного полупроводникового композита (EuO)Fe в контакте с широкозонным немагнитным полупроводником GaAs (InSb, GaN) позволяет создать комнатно-температурный спиновый транзистор, рабочие характеристики которого управляются внешним магнитным полем. При этом степень спиновой поляризации носителей тока в нем достигает значительной величины. 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента